Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Mode | Discontinuous Conduction (DCM) |
Current - Startup | 20µA |
Напряжение питания | 12.5 V ~ 20 V |
Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | PG-DSO-8 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FA5591N | FUJ | |||||||
FA5591N | ||||||||
FA5591N | 1 | |||||||
FFPF06U40DN | FAIR | |||||||
FFPF06U40DN | 128.00 | |||||||
ICE1HS01G | Infineon Technologies | |||||||
ICE1HS01G | ||||||||
ICE1HS01G | INFINEON | |||||||
ICE1HS01G | ||||||||
ICE1HS01G | 1 | |||||||
SPP11N60C3 | Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON | ||||||
SPP11N60C3 | Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | 552.00 | ||||||
SPP11N60C3 | Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON | ||||||
SPP11N60C3 | Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | Infineon Technologies | ||||||
SPP11N60C3 | Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | КИТАЙ | ||||||
SPP11N60C3 | Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON TECH | ||||||
STRW6053 S | SANKEN | |||||||
STRW6053 S |
|