Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | LinCMOS™ |
Тип усилителя | General Purpose |
Число каналов | 2 |
Тип выхода | Rail-to-Rail |
Скорость нарастания выходного напряжения | 0.12 V/µs |
Полоса пропускания | 210kHz |
Ток - входного смещения | 1pA |
Напряжение входного смещения | 200µV |
Ток выходной | 80µA |
Ток выходной / канал | 50mA |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 4.4 V ~ 16 V, ±2.2 V ~ 8 V |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Корпус | 8-PDIP |
Output Type | Rail-to-Rail |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BDP31 | PHILIPS | |||||||
BDP31 | PHILIPS | 9 260 | ||||||
PM6686TR | STMicroelectronics | |||||||
PM6686TR | ||||||||
SPP11N60C3 | Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON | ||||||
SPP11N60C3 | Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | 552.00 | ||||||
SPP11N60C3 | Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON | ||||||
SPP11N60C3 | Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | Infineon Technologies | ||||||
SPP11N60C3 | Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | КИТАЙ | ||||||
SPP11N60C3 | Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON TECH | ||||||
TC7106ACKW | Microchip Technology | |||||||
XTR115U | ИМС 4-20мA SO8 | TEXAS INSTRUMENTS | 159 | 623.31 | ||||
XTR115U | ИМС 4-20мA SO8 | 2 | 457.60 | |||||
XTR115U | ИМС 4-20мA SO8 | BURR-BROWN | ||||||
XTR115U | ИМС 4-20мA SO8 | TEXAS | ||||||
XTR115U | ИМС 4-20мA SO8 | МАЛАЙЗИЯ | ||||||
XTR115U | ИМС 4-20мA SO8 | TEXAS INSTRUMENTS | ||||||
XTR115U | ИМС 4-20мA SO8 | TEXAS INSTRUMEN |
|