Версия для печати
Технические характеристики TLP281

Тип входа	DC
Количество каналов	1
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current Transfer Ratio (Min)	50% @ 5mA
Current - DC Forward (If)	50mA
Voltage - Isolation	2500Vrms
Напряжение выходное	80V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	4-SOIC (0.17", 4.40mm)
Тип выхода	Transistor
Ток выходной / канал	50mA
Current Transfer Ratio (Max)	600% @ 5mA
Vce Saturation (Max)	400mV

TLP281 (Оптроны транзисторные (с транзисторным выходом)) Programmable Controllers Ac / dc-input Module Pc Card Modem (pcmcia) Также в этом файле: TLP281-4 Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp TLP281 datasheet 199.11Kb 7стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототранзистор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	DC COMPONENTS	13 142	6.81
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	SMK
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	Fairchild Semiconductor
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	STMicroelectronics
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	КИТАЙ	800	9.45
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YJ	3 503	7.21
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)		8 016	4.21
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KINGTRONICS	44	5.08
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ONS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	GOOD-ARK
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	MIC	23	6.46
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE (YJ)
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KLS
		IRF5305S		Транзистор полевой SMD	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF5305S		Транзистор полевой SMD		522	43.09
		IRF5305S		Транзистор полевой SMD	INTERNATIONAL RECTIFIER	32
		IRF5305S		Транзистор полевой SMD	INFINEON
		IRF5305S		Транзистор полевой SMD	VBSEMI
		IRF5305S		Транзистор полевой SMD	EVVO	601	39.46
		IRF5305S		Транзистор полевой SMD	JSMICRO	304	43.17
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	INFINEON
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	LRC
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	MOTOROLA
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц			2.44
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ONS
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	INFINEON
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	LRC
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	MOTOROLA	2 041
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ON SEMICONDUCTOR	1 733
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	OTHER	92
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	Infineon Technologies
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ONS-FAIR
		PLD-6		6 - контактная двухрядная штыревая линейка (вилка 2х3) для пайки на печатную плату.	CONNFLY
		PLD-6		6 - контактная двухрядная штыревая линейка (вилка 2х3) для пайки на печатную плату.		14	5.55
		PLD-6		6 - контактная двухрядная штыревая линейка (вилка 2х3) для пайки на печатную плату.	KLS	20 800	7.23
		PLD-6		6 - контактная двухрядная штыревая линейка (вилка 2х3) для пайки на печатную плату.	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		PLD-6		6 - контактная двухрядная штыревая линейка (вилка 2х3) для пайки на печатную плату.	NLT
		PLD-6		6 - контактная двухрядная штыревая линейка (вилка 2х3) для пайки на печатную плату.	CHINA
		PLD-6		6 - контактная двухрядная штыревая линейка (вилка 2х3) для пайки на печатную плату.	NXU
		SDR1006-331KL		Индуктивность 330 мкГн SMD	BOURNS	2 644	71.58
		SDR1006-331KL		Индуктивность 330 мкГн SMD
		SDR1006-331KL		Индуктивность 330 мкГн SMD	BOURNS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"