|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2KBP08M-E4/51 ДИОДНЫЙ МОСТ 800V 2A |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ON SEMICONDUCTOR
|
367
|
7.35
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ONS
|
17 697
|
6.82
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ON SEMICONDUCTOR
|
48
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
LRC
|
|
|
|
|
|
IR1155STRPBF |
|
|
International Rectifier
|
|
|
|
|
|
IR1155STRPBF |
|
|
INFINEON
|
673
|
802.01
|
|
|
|
IR1155STRPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
|
|
166.40
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
|
|
166.40
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
STF23NM50N |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STF23NM50N |
|
|
|
|
|
|