Версия для печати
Технические характеристики W25Q80BVSSIG

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	2.7 V ~ 3.6 V
Интерфейс подключения	SPI Serial
Скорость	104MHz
Объем памяти	8M (1M x 8)
Тип памяти	FLASH
Формат памяти	FLASH
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BA033T			ROHM
		BA033T					120.00
		BA033T			ROHM	3 472
		BA033T			Rohm Semiconductor
		BA033T			1
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)		1	180.00
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NSC
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	TEXAS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL	7	18.66
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	1
		M24C32-WMN6			ST MICROELECTRONICS
		M24C32-WMN6			SGS
		M24C32-WMN6			ST MICROELECTRONICS SEMI
		M24C32-WMN6
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	ST MICROELECTRONICS	2 540	12.00
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...			41.24
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI	2 966
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	STMicroelectronics
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	ST MICROELECTRO
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	STMICROELECTR
		M93C86-WMN6TP			ST MICROELECTRONICS	1 398	20.32
		M93C86-WMN6TP					50.80
		M93C86-WMN6TP			ST MICROELECTRONICS SEMI
		M93C86-WMN6TP			STMicroelectronics

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"