W78E516B40PL

Версия для печати

Технические характеристики W78E516B40PL

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	W78
Процессор	8052
Размер ядра	8-Bit
Скорость	40MHz
Подключения	EBI/EMI, UART/USART
Периферия	POR
Число вводов/выводов	36
Размер программируемой памяти	64KB (64K x 8)
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер памяти	512 x 8
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	4.5 V ~ 5.5 V
Тип осцилятора	Internal
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	44-PLCC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	FUJITSU
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	FUJI ELECTRIC	26	295.80
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)		3	259.20
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	FUJI
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	FUJ
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	ГЕРМАНИЯ
AN8495SB SMD		MATSUSHITA
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц			4.20
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	KEMET
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP	626
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS	18 448
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	HOTTECH
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	JSCJ	426 960	1.50
G2R-1-E-24VDC		OMRON
G2R-1-E-24VDC		OMRON
G2R-1-E-24VDC
SG5841SZ		SGC
SG5841SZ				220.36
SG5841SZ		FAIRCHILD
SG5841SZ		Fairchild Semiconductor
SG5841SZ		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SG5841SZ		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SG5841SZ		FSC1
SG5841SZ		FSC
SG5841SZ		ONS

W78E516B40PL

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают: