Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 310mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.65nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 72pF @ 25V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADP2108AUJZ-1.5 | ||||||||
AM26LV32EIPWR | 1 | |||||||
AM26LV32EIPWR | Texas Instruments | |||||||
AM26LV32EIPWR | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
AM26LV32EIPWR | TEXAS | |||||||
DHRB34A102M2BB | Керамический конденсатор 1000 пФ 10000 В | MURATA | ||||||
DHRB34A102M2BB | Керамический конденсатор 1000 пФ 10000 В | 75.96 | ||||||
DHRB34A102M2BB | Керамический конденсатор 1000 пФ 10000 В | Murata Electronics North America | ||||||
DHRB34A102M2BB | Керамический конденсатор 1000 пФ 10000 В | MURATA | ||||||
LQN4N-1000 МКГН-10% | 44 | 40.48 | ||||||
RC0603JR-075R1 | YAGEO | |||||||
RC0603JR-075R1 | YAGEO |
|