|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
800
|
13.26
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
|
2 416
|
8.80
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
220
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4756A(1W47V) |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
5 068
|
3.12
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
11.73
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
3 000
|
3.20
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
28 067
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
9.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.18
|
|
|
|
6Д13Д |
|
Диоды 6Д13Д сверхвысокочастотные для детектирования и выпрямления в схемах электронных ...
|
|
55
|
245.00
|
|
|
|
6Д13Д |
|
Диоды 6Д13Д сверхвысокочастотные для детектирования и выпрямления в схемах электронных ...
|
ЯНТАРЬ
|
1 120
|
300.00
|
|
|
|
Д816Г |
|
металл
|
|
340
|
56.10
|
|
|
|
Д816Г |
|
металл
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
Д816Г |
|
металл
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
Д816Г |
|
металл
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д816Г |
|
металл
|
НЭВЗ
|
|
|
|
|
|
Д816Г |
|
металл
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
Д816Г |
|
металл
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
80
|
117.30
|
|