| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805 5,6К 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LAN9221I-ABZJ |
|
|
SMSC
|
|
|
|
|
|
|
LAN9221I-ABZJ |
|
|
|
713
|
1 376.32
|
|
|
|
|
LAN9221I-ABZJ |
|
|
MICRO CHIP
|
24
|
|
|
|
|
|
LAN9221I-ABZJ |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
LAN9221I-ABZJ |
|
|
STANDARD MICROSYSTEMS CORPORAT
|
|
|
|
 |
 |
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
|
6 522
|
3.52
|
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
ХЕРСОН
|
382
|
4.00
|
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
ДНЕПР
|
2 836
|
20.66
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
132
|
30.62
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
3 736
|
36.00
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
6
|
40.34
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ - 0.25 ВТ 46.4 КОМ 2% |
|
|
|
2 469
|
1.28
|
|
Версия для печати
