| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N40041A400V |
|
Выпрямительный диод (Vr=400V (280Vrms), I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -65 to +125C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
|
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ВОСХОД
|
52
|
480.00
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
|
14
|
296.00
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
КАЛУГА
|
43
|
126.00
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ПАВЛОВ ПАСАД
|
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ПАВЛОВ ПОСАД
|
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
МИКРОН
|
64
|
126.00
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
АНГСТРЕМ
|
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ПАВЛОВСКИЙ ПОСАД
|
1
|
462.00
|
|
|
|
|
К142ЕН8Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
К142ЕН8Б |
|
|
|
|
774.52
|
|
|
|
|
К142ЕН8Б |
|
|
ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
1 424
|
16.65
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
280
|
90.02
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
298
|
36.12
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
937
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
49.14
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
120
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
113
|
19.60
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
|
|
145.36
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
ЭПЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
ЗБАРАЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
