NCP5181DR2G
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
NCP5181DR2G (ON SEMICONDUCTOR.) |
382 |
3-4 недели Цена по запросу
|
NCP5181DR2G (4-7 НЕДЕЛЬ) |
250 |
3-4 недели Цена по запросу
|
|
Технические характеристики NCP5181DR2G
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Конфигурация | Half Bridge |
Тип входа | Non-Inverting |
Время задержки | 100ns |
Ток пиковое значение | 1.4A |
Число конфигураций | 1 |
Число выходов | 2 |
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
Напряжение питания | 10 V ~ 20 V |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru