MCR100-8-B

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFP32N50K	N-канальный MOSFET транзистор 20А, 500В, 460Вт	VISHAY
IRFP32N50K	N-канальный MOSFET транзистор 20А, 500В, 460Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP32N50K	N-канальный MOSFET транзистор 20А, 500В, 460Вт
IRFP32N50K	N-канальный MOSFET транзистор 20А, 500В, 460Вт	Vishay/Siliconix
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...			32.80
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	АЗОН
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ВИННИЦА
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИНСК
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП МИНСК
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	БИЛЛУР
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ПАВЛОВ ПОСАД
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ИНТЕГРАЛ
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИОН
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСК
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЭКСИТОН
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	АНГСТРЕМ
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	БИЛУР
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	РОССИЯ
К561ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ОКТЯБРЬ	304	97.02
КВ109А	2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц			3.16
КВ109А	2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц	ДНЕПР
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц		1 096	4.05
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	КРЕМНИЙ	4 597	13.65
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	СВЕТЛАНА
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	МИНСК	13 246	11.55
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	БРЯНСК
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	НАЛЬЧИК
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	АЛЕКСАНДРОВ	638	7.35
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	ТРАНЗИСТОР
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	RUS
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	ИНТЕГРАЛ
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	КРЕМН
КТ818А	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...		1 183	35.15
КТ818А	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	КРЕМНИЙ	84	60.48
КТ818А	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	БРЯНСК
КТ818А	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	МИНСК
КТ818А	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК	112	21.00
КТ818А	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	RUS
КТ818А	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	УРЛЗ	8	37.80
КТ818А	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	РОССИЯ	27	65.85