STW9NK90Z
N-channel 900v - 1.1? - 8a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SuperMESH™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 3.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2115pF @ 25V |
| Power - Max | 160W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STW9NK90Z (MOSFET) N-channel 900V - 1.1? - 8A - TO-247 Zener-protected superMESHTM MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
16K1 F 100K |
|
Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм | 555 | 17.42 | ||
|
|
|
16K1 F 100K |
|
Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм | RUICHI |
|
|
|
 |
|
2W10G-E4/51 |
|
Vishay/General Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
2W10G-E4/51 |
|
VISHAY |
|
|
||
|
|
|
2W10G-E4/51 |
|
|
|
|||
|
|
FGL60N100BNTD |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
|||
|
|
FGL60N100BNTD |
|
FAIR |
|
|
|||
|
|
FGL60N100BNTD |
|
|
|
||||
|
|
FGL60N100BNTD |
|
FAIRCHILD |
|
|
|||
|
|
FGL60N100BNTD |
|
ONS-FAIR |
|
|
|||
|
|
FGL60N100BNTD |
|
ONS |
|
|
|||
|
|
FGL60N100BNTD |
|
FAIRCHILD |
|
|
|||
| STTA806DI | ST MICROELECTRONICS | 26 | 300.90 | |||||
| STTA806DI |
|
|
||||||
| STTA806DI | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STTA806DI |
|
|
||||||
| UC3843B |
|
|
||||||
| UC3843B |
|
|
||||||
| UC3843B | YOUTAI | 6 920 | 12.87 | |||||
| UC3843B | FULIHAO TECH |
|
|
