ZXMN6A07FTA
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 166pF @ 40V |
| Power - Max | 625mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC658AP | FAIR |
|
|
|||||
| FDC658AP | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDC658AP | FAIRCHILD | 61 |
|
|||||
| FDC658AP | Fairchild Optoelectronics Group |
|
|
|||||
| FDC658AP |
|
|
||||||
| FDC658AP | ONS |
|
|
|||||
| FDC658AP | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| FDC658AP | ONS-FAIR |
|
|
|||||
 |
 |
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W | SANKEN |
|
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W | SK |
|
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W | 1 | 576.00 | ||
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W | 1 |
|
|
