|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2KBP01 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 100V)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
2KBP01 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 100V)
|
|
|
39.60
|
|
|
|
2KBP01 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 100V)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
2KBP01 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 100V)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
2KBP01 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 100V)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
3224W-1-101 |
|
11об. 100 Ом, резистор подстроечный, многооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3224W-1-101 |
|
11об. 100 Ом, резистор подстроечный, многооборотный
|
BI TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
3224W-1-101 |
|
11об. 100 Ом, резистор подстроечный, многооборотный
|
BI
|
|
|
|
|
|
3224W-1-101 |
|
11об. 100 Ом, резистор подстроечный, многооборотный
|
|
604
|
68.46
|
|
|
|
3224W-1-101 |
|
11об. 100 Ом, резистор подстроечный, многооборотный
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
3224W-1-101 |
|
11об. 100 Ом, резистор подстроечный, многооборотный
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
3266P-1-102 |
|
1 кОм, резистор подстроечный 1кОм, 10%, 0,125Вт
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266P-1-102 |
|
1 кОм, резистор подстроечный 1кОм, 10%, 0,125Вт
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3266P-1-102 |
|
1 кОм, резистор подстроечный 1кОм, 10%, 0,125Вт
|
|
43
|
52.00
|
|
|
|
3266P-1-102 |
|
1 кОм, резистор подстроечный 1кОм, 10%, 0,125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
208
|
48.26
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
|
13 633
|
21.47
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
25
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.
|
|
|
51.84
|
|
|
|
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.
|
ДИСК
|
|
|
|
|
|
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|