IRF2807Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF2807Z		272.00

Версия для печати

Технические характеристики IRF2807Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4 mOhm @ 53A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3270pF @ 25V
Power - Max	170W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF2807Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF2807Z datasheet
283.2 Кб