| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
464
|
216.48
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
|
724
|
199.67
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
DC COMPONENTS
|
14 012
|
28.66
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
|
1 200
|
16.22
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
MIC
|
3 244
|
14.86
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
HOTTECH
|
4 472
|
14.71
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
SEP
|
1 448
|
16.09
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YANGJIE
|
39 360
|
28.54
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
RUME
|
7 200
|
12.28
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
|
223
|
122.84
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
СЗТП
|
8
|
204.00
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КС515А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
|
|
140
|
108.50
|
|
|
|
|
КС515А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
КС515А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС515А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КС515А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КС515А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
572
|
11.72
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
16.83
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
800
|
11.73
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
4.29
|
|
Версия для печати
