КТ 829В

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КТ 829В	5 364	24.00

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ATA6662C-TAQY		Atmel
ATA6662C-TAQY		ATMEL CORPORATION
ATA6662C-TAQY
ATA6662C-TAQY		MICRO CHIP
VIPER100A	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V/3A	ST MICROELECTRONICS
VIPER100A	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V/3A			415.52
VIPER100A	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V/3A	ST MICROELECTRONICS SEMI
VIPER100A	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V/3A	STMicroelectronics
АОТ128Г	Орел		44	36.00
АОТ128Г	Орел	ПРОТОН	32	85.61
АОТ128Г	Орел	УЛЬЯНОВСК
АОТ128Г	Орел	RUS
АОТ128Г	Орел	УРЛЗ	532	40.80
АОТ128Г	Орел	НПП УРЛЗ	504	65.93
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		716	26.95
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	1 024	35.70
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 979	32.00
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ
КТ837Б			28	28.80
КТ837Б		КРЕМНИЙ	52	73.95
КТ837Б		МИНСК
КТ837Б		ВОРОНЕЖ	19	20.00
КТ837Б		БРЯНСК
КТ837Б		ВЗПП	80	48.45
КТ837Б		ИНТЕГРАЛ
КТ837Б		КРЕМН
КТ837Б		КРЕМНИЙ ЭЛ	39	33.22