| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
STTH110 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STTH110 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2 438
|
|
|
|
|
|
STTH110 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STTH110 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A
|
|
|
|
|
 |
 |
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
|
1 139
|
1.05
|
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
ДНЕПР
|
800
|
2.14
|
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КСОТ-1-500В-4700 ПФ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
114
|
1 147.50
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
19
|
598.40
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
187
|
1 250.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
МБГП-1 160 В 2 МКФ 10% |
|
|
|
148
|
48.00
|
|
Версия для печати
