МЛТ - 0.5 ВТ 1.8 КОМ 10%
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГТ108Б | 15 | 21.60 | ||||||
| ГТ108Б | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|||||
| ГТ108Б | КВАЗАР |
|
|
|||||
| Д 818 Д | RUS |
|
|
|||||
 |
КД522 (1N4148) |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный 50В, 2мкА, 0,004мкс |
|
|
|||
 |
 |
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | 1 152 | 10.80 | ||
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | КРЕМНИЙ | 532 | 16.83 | |
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | АЛЕКСАНДРОВ | 4 083 | 4.00 | |
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | БРЯНСК | 7 736 | 6.00 | |
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | МИНСК | 782 | 8.00 | |
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | ДАЛЕКС |
|
|
|
| МЛТ-0,5-150 КОМ-5% |
|
|
