МЛТ - 2 ВТ 6.2 ОМ 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КТ814А	Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В		192	20.00
КТ814А	Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В	КРЕМНИЙ	88	33.15
КТ814А	Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В	БРЯНСК	2 198	34.00
КТ814А	Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В	МИНСК
КТ814А	Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В	RUS
КТ814А	Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В	ИНТЕГРАЛ
КТ814А	Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В	ТРАНЗИСТОР
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 916	31.68
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	800	30.60
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 916	32.00
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
МЛТ - 2 ВТ 6.2 КОМ 10%			1 708	4.48
МЛТ-2-10 КОМ-10%			72	8.40
МЛТ-2-4,7 МОМ-5%