РЭС 9 РС.4.524.200
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИФК-75 | 2 | 4 043.52 | ||||||
| ИФК-75 | 2 | 4 043.52 | ||||||
 |
 |
КД209Б |
|
Кремниевый диод 400В, 0.7А | 1 544 | 3.85 | ||
|
|
|
КД209Б |
|
Кремниевый диод 400В, 0.7А | RUS |
|
|
|
|
|
|
КД209Б |
|
Кремниевый диод 400В, 0.7А | СЗТП | 84 | 15.30 | |
|
|
|
КД209Б |
|
Кремниевый диод 400В, 0.7А | ФОТОН |
|
|
|
|
|
|
КД209Б |
|
Кремниевый диод 400В, 0.7А | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
|
 |
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | КРЕМНИЙ | 114 | 1 147.50 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | 19 | 598.40 | ||
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | БРЯНСК | 187 | 1 250.00 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | СИТ |
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | RUS |
|
|
|
| МЛТ-2-200 ОМ-5% |
|
|
