| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2512-1.0 5% |
|
ЧИП — резистор
|
|
4
|
2.80
|
|
 |
 |
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
|
8
|
122.40
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
96.90
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
|
7
|
72.10
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
БРЯНСК
|
772
|
106.00
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
|
288
|
89.25
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
КРЕМНИЙ
|
26
|
79.05
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
БРЯНСК
|
512
|
112.00
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
