С2-29В- 0.25ВТ 51.1 ОМ 1%

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
С2-29В- 0.25ВТ 51.1 ОМ 1%	480	6.40

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2512-1.0 5%	ЧИП — резистор		4	2.80
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	VISHAY
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ST MICROELECTRONICS
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	Vishay/Siliconix
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	STMicroelectronics
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICROSEMI CORP
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)			66.84
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MINOS	2 460	34.98
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	КРЕМНИЙ	8	96.90
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...		4	72.10
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	БРЯНСК	734	106.00
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	ВОРОНЕЖ
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	RUS
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный		380	89.25
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	КРЕМНИЙ	4	79.05
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	БРЯНСК	499	112.00
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	RUS
С2-29В- 0.25ВТ 10 ОМ 0.5%