10000МКФ 63 (30X45)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
470МКФ 250 (25X40)105°C
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		370	93.60
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	558	36.16
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
MBR1060CT				96.00
MBR1060CT		ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
MBR1060CT		ВОРОНЕЖ
MBR1060CT		Diodes Inc
MBR1060CT				96.00
MBR1060CT		TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
MBR1060CT		YJ
MBR1060CT		YANGJIE (YJ)
MBR1060G	Диод Шоттки 60V 10A	ON SEMICONDUCTOR
MBR1060G	Диод Шоттки 60V 10A	ONS
MBR1060G	Диод Шоттки 60V 10A	ON SEMICONDUCTOR
MBR1060G	Диод Шоттки 60V 10A
MBR1060G	Диод Шоттки 60V 10A	YANGJIE
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRONICS	26	489.60
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц		1	544.80
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	STMICROELECTRONICS
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	СИНГАПУР
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST1
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRO
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	1