BCR112E6327

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BCR112E6327 (INFINEON)	267	11.77
BCR112E6327 (INFINEON.)	948	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC817-25.215		NXP
BC817-25.215		NEX-NXP	66	2.84
BC817-25.215			29	13.20
BC817-25.215		1
BC848BLT1G		ON SEMICONDUCTOR
BC848BLT1G		ONS
BC848BLT1G		ON SEMICONDUCTOR	2 685
MMUN2113LT1G		ON SEMICONDUCTOR
MMUN2113LT1G		ON SEMICONDUCTOR
MMUN2113LT1G		ONS
MMUN2113LT1G
MMUN2113LT1G		ON SEMICONDUCTO
NFE61PT472C1H9L	Фильтр EMI/LC 2606 4700пФ 50В 2A	MURATA	15 000	39.95
NFE61PT472C1H9L	Фильтр EMI/LC 2606 4700пФ 50В 2A	MURATA
NFE61PT472C1H9L	Фильтр EMI/LC 2606 4700пФ 50В 2A	Murata Electronics North America
NFE61PT472C1H9L	Фильтр EMI/LC 2606 4700пФ 50В 2A	MUR
NFE61PT472C1H9L	Фильтр EMI/LC 2606 4700пФ 50В 2A		28
NFE61PT472C1H9L	Фильтр EMI/LC 2606 4700пФ 50В 2A	MURATA*
КТ315Д	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...		52 007	5.28
КТ315Д	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	RUS
КТ315Д	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	ТОМСК
КТ315Д	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	КВАРЦИТ