MBRA210ET3G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MBRA210ET3G (ON SEMICONDUCTOR.)	2 757	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MBRA210ET3G

Current - Reverse Leakage @ Vr	50µA @ 10V
Current - Average Rectified (Io)	2A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	10V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	500mV @ 2A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	SMA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.