Г4.0 КРАСНЫЙ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц		37	1 190.00
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК	7	300.00
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	849
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
ДВП4-2В	Держатель плавкой вставки ДВП4-2		2 848	199.50
ДВП4-2В	Держатель плавкой вставки ДВП4-2	ПУТИВЛЬ
ДВП4-2В	Держатель плавкой вставки ДВП4-2	ЗУБОВА ПОЛЯНА	2 595	177.12
ДВП4-2В	Держатель плавкой вставки ДВП4-2	RUS
ДВП4-2В	Держатель плавкой вставки ДВП4-2	ОАО НПП "КУЗБАССРАДИО"
ДВП4-2В	Держатель плавкой вставки ДВП4-2	РАДИОДЕТАЛЬ
ДВП4-2В	Держатель плавкой вставки ДВП4-2	РАДИОДЕТ	468	278.04
КТ 3107 К	Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	RUS
КТ 3117 А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
Ш-4,0К			1	35.20