|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
|
|
182.40
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BU808DFX-LF |
|
|
JOYVIRT
|
|
|
|
|
|
BU808DFX-LF |
|
|
|
|
397.28
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
|
|
552.00
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
STP8NK80Z |
|
N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-220 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP8NK80Z |
|
N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-220 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
STP8NK80Z |
|
N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-220 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP8NK80Z |
|
N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-220 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TT2076 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
SANYO
|
80
|
275.40
|
|
|
|
TT2076 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
|
|
139.12
|
|
|
|
TT2076 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TT2076 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|