DTC114EM3T5G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Power - Max | 260mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-723 |
| Корпус | SOT-723 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | LQ104S1DG21 Tft жк Р В Р’В Р РЋР’ВРѕРТвЂВуль Р РЋР С“ Р В Р’В Р СћРІР‚ВР В Р’В Р РЋРІР‚Вагональю 10.4 Р В Р’В Р СћРІР‚ВСЋР№РСВВР В Р’В° РљСѓРїРСвЂВть |
 | AT29C040-12JC РљСѓРїРСвЂВть |
 | B360A ОгранРСвЂВС‡РСвЂВтельный Р В Р’В Р СћРІР‚ВР В Р’В Р РЋРІР‚ВРѕР҆шоткРцРІРєРѕСЂРїСѓСЃРµ Р В Р’В Р СћРІР‚Вля поверхностного Р В Р’В Р РЋР’Вонтажа Р В РЎСљР В РЎвЂВР·РєРѕРїСЂРѕС„РСвЂВльный РєРѕСЂРїСѓСЃ Р В Р’В Р СћРІР‚Вля поверхностного Р В Р’В Р РЋР’Вонтажа Малая потеря Р В Р’В Р РЋР’ВощностРСвЂВ, высокая эфф... РљСѓРїРСвЂВть |
