PH8230E

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PH8230E (PHILIPS.)	148	3-4 недели Цена по запросу
PH8230E (NXP.)	1 329	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PH8230E

Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	67A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 10V
Power - Max	62.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-100, SOT-669
Корпус	LFPAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PH8230E (MOSFET)

N-channel Trenchmos (tm) enhanced logic level FET

Производитель:
NXP

PH8230E datasheet
86.3 Кб