BT152-600
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| SCR Type | Standard Recovery |
| Voltage - Off State | 650V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.75V |
| Current - On State (It (AV)) (Max) | 13A |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 20A |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 32mA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 60mA |
| Current - Off State (Max) | 1mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 200A, 220A |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805-10K 5% |
|
ЧИП — резистор 10кОм, 5%, 0805 |
|
1.60 >100 шт. 0.80 |
|||
| 0805-300 5% |
|
ЧИП — резистор | 514 |
1.60 >100 шт. 0.80 |
||||
 |
 |
IRFS52N15D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
|
||
|
|
|
IRFS52N15D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFS52N15D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
|
|
|
 |
КТ203В | 20 | 142.80 | |||||
|
|
КТ203В | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
|
|
КТ203В | ДАЛЕКС |
|
|
||||
 |
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | КРЕМНИЙ | 114 | 1 147.50 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | 23 | 598.40 | ||
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | БРЯНСК | 187 | 1 250.00 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | СИТ |
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | RUS |
|
|
