| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AD8055ANZ |
|
Операционный усилитель бипл., 300 МГц, 1400 В/мкс, Uсм = 3 мВ, 6 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD8055ANZ |
|
Операционный усилитель бипл., 300 МГц, 1400 В/мкс, Uсм = 3 мВ, 6 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD8055ANZ |
|
Операционный усилитель бипл., 300 МГц, 1400 В/мкс, Uсм = 3 мВ, 6 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх ...
|
|
|
268.00
|
|
|
|
|
AD8055ANZ |
|
Операционный усилитель бипл., 300 МГц, 1400 В/мкс, Uсм = 3 мВ, 6 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
 |
 |
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
2 245
|
20.92
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
|
1 340
|
39.39
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
4
|
71.82
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
|
335
|
55.50
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
БРЯНСК
|
719
|
111.30
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
|
453
|
93.84
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
КРЕМНИЙ
|
84
|
83.16
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
БРЯНСК
|
456
|
117.60
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
