0.22UF 250V 10% CL21
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000 UF 100V 105C 1835 (JW |
|
|
||||||
| S1M-E3/61T | VISHAY | 16 800 | 4.92 | |||||
| S1M-E3/61T | 3 600 | 4.63 | ||||||
| S1M-E3/61T | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| S1M-E3/61T | GENERAL SEMICONDUCTOR | 796 |
|
|||||
| VS-30EPF06 | VISHAY |
|
|
|||||
 |
КТ325АМ |
|
|
|||||
|
|
КТ325АМ | СВЕТЛАНА |
|
|
||||
|
|
КТ325АМ |
|
|
|||||
 |
 |
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный |
|
72.00 | ||
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | СВЕТЛАНА |
|
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
