|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 15A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 550pF @ 10V |
Power - Max | 35W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRL3714ZS (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1SMB5929BT3G | Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
1SMB5929BT3G | Стабилитрон 3W 15V DO214AA | 35.68 | ||||||
1SMB5929BT3G | Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ON SEMICONDUCTOR | 120 | |||||
1SMB5929BT3G | Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ONS | 224 | 19.68 | ||||
1SMB5929BT3G | Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ONSEMI | ||||||
IR2130 | 3ф драйвер 600В 0.2А DIP28 | INTERNATIONAL RECTIFIER | 52 | 360.00 | ||||
IR2130 | 3ф драйвер 600В 0.2А DIP28 | 747.44 | ||||||
IR2130 | 3ф драйвер 600В 0.2А DIP28 | INTERNATIONAL RECTIFIER | 1 | |||||
IR2130 | 3ф драйвер 600В 0.2А DIP28 | ТАИЛАНД | ||||||
IR2130 | 3ф драйвер 600В 0.2А DIP28 | INFINEON | ||||||
LM3046M | NATIONAL SEMICONDUCTOR | |||||||
LM3046M | NSC | |||||||
LM3046M | 6.16 | |||||||
LM3046M | КИТАЙ | |||||||
LP2951CN-3.3 | Регулируемый стабилизатор напряжения ``low drop`` СН (Vout=3/3,3V, tol=2%, I=0.1A, ... | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
LP2951CN-3.3 | Регулируемый стабилизатор напряжения ``low drop`` СН (Vout=3/3,3V, tol=2%, I=0.1A, ... | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
ULN2803LW | 208.00 | |||||||
ULN2803LW | ALLEGRO MICROSYSTEMS INC |
|