Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 200V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 8A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Diode Type | Standard |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
BEL
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CDIL
|
584
|
82.16
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SOLITRON DEVICES INC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MICROSEMI CORP
|
5
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
|
38 080
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
BHARAT
|
80
|
96.90
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SEMTECH
|
16
|
2.59
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
HOTTECH
|
6 334
|
2.51
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
HXY
|
3 040
|
2.05
|
|
|
|
AT29C512-120TC |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT29C512-120TC |
|
|
|
|
|
|
|
|
AT89C51-20PI |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT89C51-20PI |
|
|
|
1
|
475.20
|
|
|
|
RSMF1JT1R00 |
|
|
STACKPOLE ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
RSMF1JT1R00 |
|
|
STACKPOLE ELECTRONICS INC.
|
825
|
|
|
|
|
RSMF1JT1R00 |
|
|
Stackpole Electronics Inc
|
|
|
|
|
|
RSMF1JT1R00 |
|
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
425
|
383.76
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
1
|
302.40
|
|