BCP53T1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BCP53T1G (ON SEMICONDUCTOR.)	783	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BCP53T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 150mA, 2V
Power - Max	1.5W
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3314J-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм	BOURNS
3314J-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм	Bourns Inc
3314J-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм
HSMS-2803-TR1		AGILENT TECHNOLOGIES
HSMS-2803-TR1		HEWLETT PACKARD
HSMS-2803-TR1		AGILENT TECHNOLOGIES
HSMS-2803-TR1		HEWLETT PACKARD	1 523
HSMS-2803-TR1		AVAGO TECHNOLOGIES	1 684
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	CHINA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MUR
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812			24.60
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
PCA9306DCTR		TEXAS INSTRUMENTS
PCA9306DCTR			200	28.43
PCA9306DCTR		TEXAS INSTRUMENTS	577
PCA9306DCTR		TEXAS
PCA9306DCTR		TEXAS INSTRUMEN
SDR0503-153JL				31.88
SDR0503-153JL		BOURNS