BCP53T1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BCP53T1G (ON SEMICONDUCTOR.)	783	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BCP53T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 150mA, 2V
Power - Max	1.5W
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3296W-470		CHINA
3296W-470		CHINA NATIONAL
3296W-470
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	NXP
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт			34.40
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	КИТАЙ
GRM188R71H683KA93D		Murata Electronics North America
GRM188R71H683KA93D		MUR	6 208	1.15
GRM188R71H683KA93D
GRM188R71H683KA93D		MURATA
PVZ3A502C01R00		Murata Electronics North America
PVZ3A502C01R00		MUR
PVZ3A502C01R00
PVZ3A502C01R00		MURATA
RLB0914-102KL	Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом	BOURNS	13 800	36.41
RLB0914-102KL	Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом			57.60