IRLR024Z


Hexfet power mosfets discrete n-channel

Купить IRLR024Z ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRLR024Z
Версия для печати

Технические характеристики IRLR024Z

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs58 mOhm @ 9.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C16A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs9.9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds380pF @ 25V
Power - Max35W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR024Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLR024Z datasheet
277.3 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    CDRH127NP-331MC     SUMIDA 1 042 49.81 
    CDRH127NP-331MC       Заказ радиодеталей 80.00 
    CDRH127NP-331MC     SUMIDA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CDRH127NP-331MC     SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   DC COMPONENTS 7 880 11.57 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S     2 976 3.67 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   YJ 84 875 4.92 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   MIC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   KINGTRON Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   КИТАЙ 52 30.60 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   KINGTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   KLS 4 437 9.84 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   KOME 756 5.08 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   LGE Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   HOTTECH 137 102 4.09 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   YANGJIE 20 736 5.12 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   SEP 8 2.52 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   ASEMI 6 6.17 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   JSCJ 440 8.99 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   KUU 49 587 2.20 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   RUME 26 400 2.54 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   TRR 38 400 2.69 
  DB107S Диодный мост 1А 1000В DB-1S   JSMICRO 54 516 3.59 
JNR13S500L Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А   JOYIN Заказ радиодеталей цена радиодетали
JNR13S500L Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А     17 12.00 
JNR13S500L Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
JNR13S500L Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRA340T3G     ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRA340T3G       Заказ радиодеталей 28.00 
    MBRA340T3G     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRA340T3G     ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRA340T3G     ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRA340T3G     ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRA340T3G     KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRA340T3G     TOKMAS 4 624 5.11 
    MBRA340T3G     FUXIN 8 698 6.35 
    STB9NK50ZT4     ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STB9NK50ZT4     ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STB9NK50ZT4       1 108.00 
    STB9NK50ZT4     STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход