100 UF 100V 105C 1020
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10 UF 63V 105C 511 |
|
|
||||||
| 4.7 UF 63V 105C 511 |
|
|
||||||
| 93C56A-E/SN | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| 93C56A-E/SN | MICRO CHIP | 909 |
|
|||||
| 93C56A-E/SN | Microchip Technology |
|
|
|||||
 |
 |
IRGS14C40L |
|
IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGS14C40L |
|
IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK |
|
168.00 | ||
|
|
|
IRGS14C40L |
|
IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK | INFINEON |
|
|
|
 |
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|
|
