FDS9958
-60v dual p-channel powertrench mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1020pF @ 30V |
| Power - Max | 900mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | SO-8 |
| Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDS9958 (MOSFET) -60V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
