С3-14-1-33 МОМ-10%
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MURATA |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. |
|
16.60 | ||
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MURATA |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MUR |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | Murata Electronics North America |
|
|
|
 |
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | NELTON |
|
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм |
|
6.00 | ||
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | NELTRON |
|
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | HSUAN MAO |
|
|
|
| L7824ABD2T-TR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | КИТАЙ |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | 855 | 38.72 | ||||||
| КТ815Б2 |
|
|
||||||
| КЭВ-10-1 ГОМ-5% |
|
|
