Версия для печати
Технические характеристики BCP51

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 150mA, 2V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250	FAIR
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250	PHILIPS
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250			8.80
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250	NXP	3 200	9.17
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250	PHILIPS
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250	Fairchild Semiconductor
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250	NXP
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250	INFINEON TECH
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250	FAIRCHILD
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250	КИТАЙ
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250	HOTTECH	1 591	9.36
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250	JSCJ	1 376	10.03
		BCP54		NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250	SHIKUES	5 040	6.81
		ERA-3SM+			MINI CIRCUITS
		ERA-3SM+			MINI CIRCUITS
		ERA-3SM+			MINICIR
		ERA-3SM+				1	468.00
		HSMS-2802			AVAGO
		HSMS-2802					81.64
		HSMS-2802			КИТАЙ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		871	28.00
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	800	30.60
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	990	30.00
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	4 680	12.00
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...		966	27.12
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	КРЕМНИЙ	532	35.70
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	БРЯНСК	2 580	32.00
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	МИНСК
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	RUS
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ЭЛЬТАВ	5 642	12.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"