|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
|
|
1 240.00
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
36
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
NSC
|
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
IRF5305 P-КАН. -55V.- 31A. 0.055 ОМ. 110W. TO220 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF5305 P-КАН. -55V.- 31A. 0.055 ОМ. 110W. TO220 |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
MOTOROLA
|
6
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
|
4
|
109.20
|
|
|
|
LT1761ES5-SD-TRM |
|
|
LTC
|
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
216
|
118.08
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
|
288
|
119.81
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|