Корпус (размер) | 64-TQFP |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип осцилятора | Internal |
Преобразователи данных | A/D 16x10b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 3.6 V |
Размер памяти | 16K x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер программируемой памяти | 256KB (85.5K x 24) |
Число вводов/выводов | 53 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, LVD, POR, PWM, WDT |
Подключения | I²C, PMP, SPI, UART/USART |
Скорость | 32MHz |
Размер ядра | 16-Bit |
Процессор | PIC |
Серия | PIC® 24F |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
6 111
|
5.32
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
12 788
|
4.31
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
952
|
3.10
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
9 080
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
51 633
|
0.75
>1000 шт. 0.15
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.08
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
ECR-160-470UF |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 160 В
|
HITANO
|
|
|
|
|
|
ECR-160-470UF |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 160 В
|
|
|
111.16
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
|
8 181
|
5.30
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY
|
1
|
20.39
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
КИТАЙ
|
40
|
22.68
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY ME
|
3 553
|
15.03
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KLS
|
37
|
7.23
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
MIC
|
166
|
12.23
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
HOTTECH
|
8 708
|
11.55
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
YANGJIE
|
57 600
|
10.16
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SUNTAN
|
2 144
|
8.98
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
PI
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
|
10 882
|
92.50
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
POWER INTEGRATIONS
|
32
|
|
|
|
|
TOP234P |
|
Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,605A
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP234P |
|
Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,605A
|
|
|
|
|
|
|
TOP234P |
|
Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,605A
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
TOP234P |
|
Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,605A
|
КИТАЙ
|
|
|
|