Версия для печати
Технические характеристики NTZD5110NT1G
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 24.5pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 294mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-563 |
| Корпус | SOT-563 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
