CL11 0.01UF 400 V 10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 82КОМ 0.1ВТ 5%		TAIWAN
0805 82КОМ 0.1ВТ 5%
MF-0.5-1.0K 5%	Резистор постоянный металлодиэлектрический 0.5Вт, 1кОм, 5%	CHINA
MF-0.5-1.0K 5%	Резистор постоянный металлодиэлектрический 0.5Вт, 1кОм, 5%		36	2.84
АМПЕРМЕТР 5А (40Х40)			320	80.33
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		937	28.00
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	800	30.60
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	1 390	30.00
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	4 760	12.00
МЛТ-1-560 КОМ-5%			792	5.28