Версия для печати
Технические характеристики AT24C04BN-SH

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	1.8 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	I²C, 2-Wire Serial
Скорость	400kHz, 1MHz
Объем памяти	4K (512 x 8)
Тип памяти	EEPROM
Формат памяти	EEPROMs - Serial
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	DC COMPONENTS
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	DIOD
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	FAIR
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	HITACHI SEMICONDUCTOR
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	ON SEMICONDUCTOR
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	MOTOROLA
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V		9 602	2.22
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	FAIRCHILD	80	13.26
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	FAIRCHILD
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	HITACHI SEMICONDUCTOR
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	MOTOROLA
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	ON SEMICONDUCTOR
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	Fairchild Semiconductor
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	КИТАЙ
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	ONS-FAIR
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	ONS
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	DIODES	800	13.26
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	KEISUM
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	0.00
		1N4751A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V	1
		25LC640-I/SN		Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...	MICRO CHIP
		25LC640-I/SN		Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...			89.36
		25LC640-I/SN		Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...	MICRO CHIP
		25LC640-I/SN		Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...	Microchip Technology
		25LC640-I/SN		Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		25LC640-I/SN		Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		M93C86-WMN6TP			ST MICROELECTRONICS	1 398	20.59
		M93C86-WMN6TP					50.80
		M93C86-WMN6TP			ST MICROELECTRONICS SEMI
		M93C86-WMN6TP			STMicroelectronics
		STRS6707		SMPS сх. упpавления, NPN 850V/6A, Po=140W	SANKEN
		STRS6707		SMPS сх. упpавления, NPN 850V/6A, Po=140W	SK
		STRS6707		SMPS сх. упpавления, NPN 850V/6A, Po=140W		8	684.00
		STRS6707		SMPS сх. упpавления, NPN 850V/6A, Po=140W	SANKEN
		STRS6707		SMPS сх. упpавления, NPN 850V/6A, Po=140W	КИТАЙ
		UCC28600D			TEXAS INSTRUMENTS	171	1 725.00
		UCC28600D					280.00
		UCC28600D			TEXAS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"