SI7686DP-T1

Версия для печати

Технические характеристики SI7686DP-T1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1220pF @ 15V
Power - Max	37.9W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® SO-8
Корпус	PowerPAK® SO-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.