| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BDP954 PNP SILICON AF POWER TRANSISTOR 80V 3A |
|
|
INFINEON
|
63
|
24.00
|
|
|
|
|
BDP954 PNP SILICON AF POWER TRANSISTOR 80V 3A |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
17 374
|
8.36
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
|
4
|
18.00
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MUR
|
271 554
|
6.44
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
85 564
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C30 |
|
|
|
5 400
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
|
BZV55C30 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C30 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C30 |
|
|
HOTTECH
|
74
|
1.19
|
|
|
|
|
BZV55C30 |
|
|
WUXI XUYANG
|
32 480
|
1.68
|
|
|
|
|
BZV55C30 |
|
|
SEMTECH
|
857
|
1.40
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
|
3 568
|
8.52
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 666
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
15 760
|
13.78
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
542
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TRR
|
3 120
|
4.92
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
1.86
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|
Версия для печати
