|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF3205PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3205PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3205PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
|
INFINEON
|
21 256
|
39.57
|
|
|
|
IRF3205PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
|
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
34.02
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
|
3 246
|
2.75
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
MOTOROLA
|
4
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
24
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
DIOTEC
|
3 920
|
16.99
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
LGE
|
4 880
|
3.10
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
WUXI XUYANG
|
5 760
|
3.69
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
YJ
|
18 157
|
8.63
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
1
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
SUNMATE
|
3 164
|
2.87
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
HOTTECH
|
5 760
|
4.96
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
HTC KOREA SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
|
16 704
|
4.18
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
HTC KOREA SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
HOTTECH
|
46 110
|
8.78
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
HTC
|
|
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
ZH
|
31 200
|
5.13
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
YOUTAI
|
9 243
|
2.01
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
UMV
|
4 000
|
2.68
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
240
|
|
|
|
|
АЛ107А |
|
|
|
2 459
|
5.55
|
|
|
|
АЛ107А |
|
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
АЛ107А |
|
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
АЛ107А |
|
|
НИИПП ТОМСК
|
752
|
36.16
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
10 386
|
41.40
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
32
|
59.29
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
25 241
|
46.20
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 760
|
113.65
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|