BST82
N-канальный полевой транзистор
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 150mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 190mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 40pF @ 10V |
| Power - Max | 830mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BST82 (MOSFET) N-канальный полевой транзистор
Производитель:
|
